램카드를 완성해야 하는데

전에 만든것 실패한 이후 자료를 찾아보고 다시 정리를 하였다.

메모리 자료중에는 Saturn 64K/128K자료를 쉽게 찾을 수 있어

내용을 읽어보고 기존에 만든 램카드와 비교하여 보았다.

내용은 상당히 자세하고 복잡하지만, 주요 내용은 아래와 같다.

새턴의 램카드는 16K와 일단 하위 호환이 된다.

그러나 만든 램카드는 호환이 되지 않고, BANKING기능도 없다.

그랬다. 별도의 프로그램을 쓰지 않는다면 사용할 수 없는거였다.

단지 사용하기는 간단한 구조를 갖고 있지만, 매번 Address를 3번 넣고, Data를 꺼내야 하므로속도는 느릴수 밖에 없다.

4번 I/O를 건드려야4번째에 Data가 나온다.

이론적으로속도가 애플 램카드 보다 1/4밖에 않된다.

기존것은 Banking하면 바로 읽으면 된다. 즉 1cycle로 읽힌다.

먼저 APPLE의 램카드의 특징을 간단하게 설명하면

C0nx 의 Address를 이용해서 BANKING 기능을 담당한다.

그리고 특이한것은 D000~FFFF까지를 Banking을 하는데 이것이 12KB라는것이다.

결국 16KB가 되기 위해서는 D000~DFFF에 하나 더 뱅킹을 해야 한다.

따라서 BANK A, BANK B로 D000~DFFF영역이 할당되게 된다.

램카드를 구성할때 이점이 구현하기다 조금 까다롭다.

12KB로 쭈욱 뱅킹하면 하드웨어적으로 간단할 수 도 있는데, 12KB에 + 4KB 형태로 되어 있다.

아주 오묘한 구성..

이것을 구현하려고 카르노맵을 그려보았는데..

좀 헤깔린다..

Saturn 메모리 카드의 뱅킹 방법이다.

- 0,1,2,3 은 4KB의 첫번째(A)를 선택하고, 전체 16KB램의 Read/Write 여부를 선택한다.

- 8,9,A,B는 두번째(B) 4KB를 선택하고 전체16KB의 Read/Write 기능 선택을 한다.

2진수로 보면

16K뱅크 선택방법

- A3, A2(1), A1, A0의 Address중 A2가 1이면 뱅크 선택이다. 나머지 A3, A1,A0은 뱅크번호가 된다. 0부터 시작해서 7번까지로 생각하자.

4KB의 뱅크 선택방법

- A3, A2(0), A1, A0처럼 A2가 0이면 뱅킹 선택이 된다. A3 1 이면 8,9,A,B로 상위뱅크 A3가 0이면 0,1,2,3 으로 하위뱅크가 된다.

결국은 A2(0)이면뱅크 선택 기능이다.

4K 뱅크선택 시 Read/Write 기능 동시선택

- A1,A0은 Read/Write 기능스위치이다.

A0EXOR A1:1이면 ROM READ, 0이면 RAM READ

-A0 이 0이면 Write Proect(WE기능 불가)1이면 Write Enable

아래는 16K 램카드의 Banking 방법인데,

자세히 보면 위의 것과 기본적으로 같다.

APPLE의 16K 메모리 카드의 Banking 제어 부분이다.

LS175를 쓴것이 특징이다.

괜히 혼동되고 헤깔리는것이 이것 때문이다.

잘 안쓰는 LS175...

주머니에 없으니 또 적당량 사둬야겠다.

아래는 Naver의 애플동우회의 장박사 님의 회로도의 일부입니다.